Статьи Электроника Основы. В большинстве случаев используют транзисторный ключ с общим эмиттером ОЭ, в котором нагрузочный резистор включен в цепь коллектора рис. Напряжение и токи, соответствующие открытому насыщение и закрытому отсечка состояниям транзистора, могут быть определены с помощью выходных характеристик транзистора, включенного по схеме ОЭ рис. Схема транзисторного ключа а и выходная ВАХ транзистора для схемы включения с общим эмиттером б. Нагрузочная прямая, соответствующая выбранному значению сопротивления RН, отсекает на оси абсцисс напряжение Uп, а на оси ординат ток, равный UпRн. Пересечение Uкб 0 с нагрузочной прямой дают точку границы режима насыщения точка Нс. В большинстве случаев используют транзисторный ключ с общим эмиттером, в котором нагрузочный резистор включен в цепь. Транзисторные каскады, в зависимости от вариантов подключения транзисторов, подразделяются на 1 Каскад с общим эмиттером на схеме показан. Первый работоспособный биполярный транзистор был изобретен в. Всего таких схем применяется три схема с общим эмиттером ОЭ, схема с общим. Лаврова Полупроводниковый триод в режиме ключа. При схеме включения биполярного транзистора с общим эмиттером ОЭ входной сигнал. В активном режиме транзистор VT1 открыт, напряжение на базе относительно эмиттера UBE меняется слабо и составляет примерно 0. Транзисторные ключи это раздел Электронные системы нащего сайта, который. ОЭ, на входе которого. Следует отметить, что электронные ключи, в отличие от механических, чаще. Чаще всего используются ключи, собранные по схеме с общим эмиттером, как. В ключевом режиме биполярный транзистор работает в режиме. Схема с ОЭ обладает наибольшим коэффициентом усиления по мощности. Основной усилительный элемент транзистор имеет всего три вывода,. Транзисторный ключ по своей схеме подобен транзисторному усилителю с ОЭ. Однако по выполняемым функциям и соответственно режимам работы. Пересечение кривой i. Б 0 с нагрузочной прямой дают точку границы режима отсечки точка От рис. Для работы в ключевом режиме рабочая точка транзисторного каскада должна находиться либо левее точки Нс режим насыщения, либо правее точки От режим отсечки. Сравнение Промышленности Великобритании И Италии тут. Транзисторный Ключ С Оэ Схема Принцип Действия' title='Транзисторный Ключ С Оэ Схема Принцип Действия' />Нахождение между точками Нс и От допускается только при переключении транзистора из насыщенного состояния в состояние отсечки, и наоборот. Длительность нахождения транзистора в состоянии в этой области для реального Эк зависит от собственных частотных свойств транзистора. Поэтому это свойство определяет быстродействие и зависит от мощности, выделяющейся в ЭК, которая прямо пропорциональна времени нахождения рабочей точки транзистора в интервале Нс От. Ток базы в режиме насыщения равен сумме двух токов току коллектора и току эмиттера прямо смещенных переходов. Iб нас Iкh. Э IБ ГР. Превышение базового тока насыщенного транзистора над его граничным значением характеризуется коэффициентом насыщения q Iб нас IБ ГР. Помехоустойчивость транзисторного ключа тем больше, чем выше коэффициент насыщения. Значение обычно выбирают в диапазоне 1,5. График временных процессов коммутации транзис торного ключа изображен на рис. Определить коммутационные параметры транзистора можно, зная граничную частоту его работы и коэффициент насыщения. Временная диаграмма изображена на рис. Каскад с общим эмиттером Википедия. Усилительный каскад по схеме с общим эмиттером на основе npn транзистора Схема с заземленным эмиттеромПри схеме включения биполярного транзисторас общим эмиттером ОЭ входной сигнал податся на базу, а выходной сигнал снимается с коллектора. При этом выходной сигнал инвертируется относительно входного для гармонического сигнала фаза выходного сигнала отличается от входного на 1. Каскад усиливает и ток, и напряжение. Данное включение транзистора позволяет получить наибольшее усиление по мощности, поэтому наиболее распространено. Однако, при такой схеме нелинейные искажения сигнала больше, чем в схемах с общей базой или с общим коллектором. Кроме того, при данной схеме включения на характеристики усилителя значительное влияние оказывают внешние факторы, такие как напряжение питания или температура окружающей среды. Обычно для компенсации этих факторов применяют отрицательную обратную связь, но она снижает коэффициент усиления. Биполярные транзисторы управляются током. В схеме с ОЭ  током базы. Напряжение на переходе база эмиттер при этом остатся почти постоянным и зависит от материала полупроводника, для германия около 0,2 В, для кремния около 0,7 В, но на сам каскад податся управляющее напряжение. Ток базы, коллектора и эмиттера и другие токи и напряжения в каскаде можно вычислить по закону Ома и правилам Кирхгофа для разветвлнной многоконтурной цепи. Токи в транзисторе связаны нижеследующими соотношениями по правилу Кирхгофа для узлов алгебраическая сумма всех трх токов  Ie,Ic,Ib. Простейший каскад с общим эмиттером и его подключение к источнику сигнала и нагрузке. На рис. 1 изображн простейший каскад с общим эмиттером и его подключение к источнику сигнала и нагрузке. Каскад состоит избиполярного транзистора VT1 резистора RБ, который задат точку покоя каскада по постоянному току резистора RК, который преобразует меняющийся ток коллектора в синхронно изменяющееся напряжение на коллекторе, а также участвует в задании напряжения покоя на коллекторе. Для удаления постоянной составляющей входного сигнала источник подключается ко входу каскада через разделительную мкость CР1. С той же целью выход каскада подключается к нагрузке RН через мкость CР2. Поскольку мкости вносят во входную и выходную цепи дополнительное реактивное сопротивление, они искажают сигнал, однако выбором достаточно больших величин мкости эти искажения сводятся к минимуму. Нагрузка, изображнная в виде сопротивления RН может представлять собой устройства различного назначения динамик, индикатор, вход другого усилительного каскада и т. Примерное постоянство напряжения UBE объясняется тем, что зависимость UBEIB логарифмическая, и в широком диапазоне изменении тока базы IB напряжение UBE меняется очень мало. С учтом этого в режиме напряжение на коллекторе при фиксированном RС полностью определяется сопротивлением RB UCEP. Как и контактные группы реле, переключательные каскады могут быть нормально закрытыми разомкнутыми и нормально открытыми замкнутыми, это определяется положением рабочей точки на проходной характеристике.